场效应晶体管
TIP
MOSFET结构与原理、MOSFET的特性和等效电路模型、沟道长度调制效应、MOSFET放大电路分析计算（共源、共漏、共栅）。
习题及参考解答
知识点1：场效应管的结构与工作原理
1、某场效应管的转移特性如下图所示，该管为 ________ 。
A. P沟道增强型MOS管 B. P沟道结型场效应管
C. N沟道增强型MOS管 D. N沟道耗尽型MOS管
D
2、当场效应管的栅源电压为零时，漏源之间存在导电沟道的称为 ________ 型场效应管；漏源之间不存在导电沟道的称为 ________ 型场效应管。
耗尽 增强
3、如下图所示场效应管的转移特性曲线，它属于 ________ 场效应管。
A. N沟道耗尽型 B. N沟道增强型
C. P沟道耗尽型 D. P沟道增强型
B
4、增强型 n-MOSFET 的阈值电压
5、场效应管又称为单极型晶体管，因为 ________ 。
只有一种载流子参与导电过程
6、单极型半导体器件是 ________ 。
A. 二极管 B. 三极管 C. 场效应管 D. 稳压管
C
7、在饱和区，场效应管的漏极电流仅仅取决于 ________ （少数/多数）载流子运动产生的。
多数
8、场效应管发生预夹断后，管子 ________ 。
A. 损坏 B. 进入截止区 C. 进入饱和区 D. 进入可变电阻区
C
9、MOSFET 发生沟道夹断时，其工作在 ________ 。
A. 饱和区 B. 线性区 C. 截止区 D. 可变电阻区
A
10、MOSFET 本质上可以看作 ________ 。
A. 电压控制电流源 B. 电流控制电压源
C. 电压控制电压源 D. 电流控制电流源
A
11、增强型 n-MOSFET 的阈值电压
A. >，<，<，> B. <，>，<，> C. >，<，>，< D. <，>，>，<
A
知识点2：场效应管的工作特性及其等效模型
1、电路如下图所示，N沟道增强型MOSFET的特性如下：
当
时， 所以
工作在非饱和区
当
时，工作在饱和区
2、一个NMOS管工作在饱和区，其漏极电压不得低于 ________ 。
A. 栅极电压 B. 源极电压 C. 栅极电压＋
D
3、不考虑管子的频率响应，求下列2个典型电路沿箭头方向的小信号等效电阻。
(a)
(d)
5、场效应管作为放大管使用时，应使其工作在其输出特性的 ________ 区 ，在该区域，场效应管的漏极电流主要取决于场效应管 ________ 之间的电压。
饱和区 栅极和源极
知识点3：MOSFET放大电路的分析计算
1、如下图所示 MOSFET 放大电路，已知 T1 和 T2 管的参数分别为
2、在下图所示的 NMOS 电路中，管子参数为阈值电压
0.5
3、如下图所示电路，已知耗尽型 NMOS 管的
等效电路如下：
4、如下图所示电路，已知两个 NMOS 管的跨导均为
5、如图所示电路，已知 MOSFET 的参数为
34.4 kΩ
6、由 FET 组成的两个基本放大电路如图 (a)、(b) 所示，已知各 FET 的
(a)
(b)